[发明专利]一种高线性射频AlGaN/GaN器件及其制备方法

摘要

本发明公开了高线性射频AlGaN/GaN器件的制备方法：步骤1，选择AlGaN/GaN、SiC作为衬底材料，并采用PECVD沉积SiN薄膜；步骤2，采用光刻工艺曝光出互连接触孔，再分别刻蚀SiN和AlGaN势垒层，并在漂移区打开互连接触孔；步骤3，采用LPCVD生长多晶硅薄膜或Ge薄膜，并进行N型掺杂；步骤4，采用光刻工艺，在互连接触孔上的栅漏区域曝光出堆叠阵列式结构，并采用RIE分别刻蚀已曝光的N+Polysi或N+Ge及其下方的SiN，从而得到沿栅宽方向的堆叠阵列式图形；步骤5，进行光刻，曝光出欧姆接触的源漏级图形，用电子束蒸发Ti/Al/Ni/Au，经过去胶剥离和快速热退火，形成器件的源级欧姆接触；步骤6，进行光刻，曝光肖特基栅极的图形，用电子束蒸发Ni/Au，制备出具有栅漏区域双沟道叠层结构的射频AlGaN/GaN器件。