[发明专利]一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种改善Taper侧面金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，包括TFT侧玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上设有GE金属层/无机膜层混合阻挡层，无机膜层和GE金属层的上表面齐平，无机膜层设在GE金属层的两侧，无机膜层的斜面与玻璃基板的锐角夹角小于50°，所述GE金属层/无机膜层混合阻挡层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。本发明在现有的GE Taper侧面搭接一层无机膜层，利用搭接的无机膜层的低Taper来Cover原有的GE Taper角度大的问题，避免了因Taper过大而造成金属残留，从而达到提高产品良率的目的。