[发明专利]一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路

摘要

本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体涉及一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路，所述驱动电路包括驱动信号选通电路、负压产生电路和比较器控制电路。所述驱动信号选通电路用于选通正负方波，以驱动GaN功率器件，所述负压产生电路用于产生负电压，以防止GaN功率器件关断期间的误导通，所述比较器控制电路用于实现中间电平钳位，以防止GaN功率器件开通瞬间的反向击穿。本发明中间电平箝位响应速度更快，使得GaN功率器件可安全工作在5MHz及以上开关频率，充分发挥GaN功率器件高频应用的优势；负压产生电路结构简单且具有更宽的工作频率范围，使其可驱动的开关管包括但不限于高频GaN功率器件；同时具有降低驱动电路损耗的优势。