[发明专利]一种基于双暗斑联合抑制的超分辨光刻方法及光刻胶有效
| 申请号： | 202210417713.2 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114527629B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 匡翠方;邱毅伟;丁晨良 | 申请（专利权）人： | 之江实验室;浙江大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/027 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 奚丽萍 |
| 地址： | 310023 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双暗斑联合抑制的超分辨光刻方法及光刻胶，该方法基于边缘光抑制纳米刻写技术，通过双抑制光斑的结合实现在保证最大抑制强度不变的前提下压缩暗斑抑制区域，一定程度解决由抑制光过强引起刻写线宽变粗的难题，实现等效刻写光斑的压缩，从而进一步缩小纳米刻写线宽。利用本发明的方法可以实现更高精度的纳米加工能力，可为微机械、微光学、微流控等领域提供更高精度的加工手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 双暗斑 联合 抑制 分辨 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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