[发明专利]一种优异的ALD镀膜工艺

摘要

本发明涉及一种优异的ALD镀膜工艺，使用TMA+H2O+O3作为生长源，在基片上生长氧化铝膜层，与现有技术中以TMA+O3或TMA+H2O为生长源生长氧化铝膜层相比，不仅保留了TMA+H2O生长速率快的特点；而且在生长过程中O3作为辅助源通入腔体，O3能够与薄膜中‑CH3发生反应，最终反应为H2O+CO2，并通过吹扫气体吹扫带出，从而可以有效降低膜层电阻率，改善钝化作用，进而提升电池的转换效率；同时本发明的工艺可以在同一腔室中反应实现，具有操作简单，成本低的优点。