[发明专利]转印装置及其制备方法、微发光二极管的巨量转移方法在审
| 申请号： | 202210345206.2 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936439A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王一涛;林佳桦;宋玉华 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00;B41F16/00 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 丁建春 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种转印装置及其制备方法、微发光二极管的巨量转移方法。该转印装置包括转印基板和多个转印头；其中，多个转印头分别连接于转印基板的一表面，用于吸附并转移待转移物；其中，转印头的硬度沿远离转印基板的方向逐渐增大。该转印装置具有较好的耐磨性，有效延长了转印头的使用寿命及更换周期，提高了转移效率；且转印头的整体韧性较好，增加了转印头的抗疲劳性能，避免了转印头的应力损伤，进一步延长了转印装置的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制备 方法 发光二极管 巨量 转移 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
