[发明专利]一种在极端高压下低维纳米材料电学器件的制备方法在审
| 申请号： | 202210277703.3 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114664665A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈亚彬;韩武孝;杜国帅;杨龙飞 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/34;H01L21/027;H01L29/43;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 郭春莉 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种在极端高压下低维纳米材料电学器件的制备方法，其要点在于：设计了一种针对金刚石对顶砧的光刻流程，并采用机械剥离的石墨或石墨烯样品和蒸镀金属材料用于在金刚石对顶砧上集成基于低维纳米材料的电学器件。具体工艺过程包括：清洗‑旋涂光刻胶‑光刻‑蒸镀金属电极(或转移机械剥离的石墨、石墨烯电极)‑去胶‑转移介电层材料‑转移低维材料‑旋涂光刻胶‑光刻‑蒸镀金属电极‑去胶‑引线。本申请旨在提出一种在极端高压下低维纳米材料电学器件的制备方法，克服了低维材料难以在金刚石砧面上集成微纳电学器件的问题，解决了低维材料在高压下的电学器件制备难题，为探究高压下低维材料微纳器件制备提供新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极端 压下 纳米 材料 电学 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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