[发明专利]偏置生成电路以及存储电路在审

专利信息
申请号: 202210238528.7 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN116774771A 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 刘忠来 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本公开实施例涉及半导体技术领域,提供一种偏置生成电路以及存储电路,偏置生成电路包括:第一负载电路,第一负载电路耦接于工作电压和调整节点之间;偏置电路,接收工作电压并根据工作电压输出偏置电压;稳压电路,稳压电路耦接偏置电路的输出端并接收基准电压,用于根据偏置电压和基准电压调整调整节点的电压;第二负载电路,第二负载电路的一端与偏置电路的输出端耦接,另一端与调整节点耦接。本公开实施例至少有利于避免偏置电压受工作电压的影响,使得偏置电压处于稳定的数值范围内。
搜索关键词: 偏置 生成 电路 以及 存储
【主权项】:
暂无信息
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