[发明专利]基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210205501.8 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN114649468A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 赵雪峰;邢国忠;王迪;王紫崴;刘龙;林淮;张昊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/08;H01L43/12;G06N3/063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法，涉及人工神经元存储器件技术领域。该器件包括：由下至上依次层叠的合成反铁磁层、金属氧化物层、离子液体层和顶电极层，合成反铁磁层的底端相对的两个边缘上设置有磁化方向相反的左边界反铁磁层和右边界反铁磁层，合成反铁磁层的底端中部还设置用于输出尖峰信号的磁性隧道结；其中，金属氧化物层、离子液体层和顶电极层构成离子门，离子液体层包括正离子和负离子，当顶电极层施加输入电压时，金属氧化物层中的氧离子随着离子液体层中的正离子和负离子的分布而移动，以调整合成反铁磁层顶部界面的电荷积累，从而通过RKKY作用调控合成反铁磁层底部的磁畴壁的泄露运动速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 调控 可重构 神经 元器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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