[发明专利]半导体装置用Ag合金接合线在审
| 申请号： | 202180071142.5 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN116324000A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 荒木典俊;大壁巧;小田大造;宇野智裕;小山田哲哉 | 申请（专利权）人： | 日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社 |
| 主分类号： | C22C5/06 | 分类号： | C22C5/06 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 张嵩;薛仑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在高密度安装中所需的、球接合时的球的压接形状优异的新的半导体装置用Ag合金接合线。该半导体装置用Ag合金接合线由Ag合金构成，该Ag合金含有从由Te、Bi及Sb构成的组中选择的1种以上的元素，并满足以下的条件(1)～(3)中的至少一个，(1)Te的浓度为5～500at.ppm(2)Bi的浓度为5～500at.ppm(3)Sb的浓度为5～1500at.ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 ag 合金 接合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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