[发明专利]小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺及隔离结构在审
| 申请号： | 202111497581.0 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114267690A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李佳龙;范晓 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺及隔离结构，其中小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺包括：在P型硅衬底上进行N型外延层生长；在N型外延层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层上进行光刻工艺；进行硬掩膜层和N型外延层的刻蚀，形成深沟槽结构；在深沟槽中进行第一次P型外延层生长；在深沟槽侧壁热氧化生长一层薄热氧化层；在深沟槽中填充材料，对填充材料进行直接刻蚀，并在刻蚀后去除深沟槽中剩余的填充材料；进行第二次P型外延层生长，在深沟槽上部封口；拔除硬掩膜层，进行研磨使第二次P型外延层平坦化；在N型外延层及第二次P型外延层上进行第三次P型外延层生长，实现了小尺寸Pixel隔离结构的生产，提升小尺寸像素的感光度，提高像素水平。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 pixel 隔离 结构 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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