[发明专利]全耗尽型绝缘体上硅闪存存储器设计在审
| 申请号： | 202110971342.8 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113674789A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | H·V·陈;A·李;T·武;H·Q·阮 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;吕传奇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种闪存存储器系统，其中一个或多个电路区块利用全耗尽型绝缘体上硅晶体管设计来使泄漏最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 绝缘体 闪存 存储器 设计 | ||
【主权项】：
暂无信息
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