[发明专利]3D霍尔磁传感器及其制造方法在审
申请号: | 202110902648.8 | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN113764575A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 何渊 | 申请(专利权)人: | 苏州矩阵光电有限公司 |
主分类号: | H01L43/04 | 分类号: | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14;G01R33/07 |
代理公司: | 北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877 | 代理人: | 王静;陶涛 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明的实施例公开了3D霍尔磁传感器及其制造方法。所述3D霍尔磁传感器包括3D框架结构,所述3D框架结构至少包括彼此正交连接的3个表面,其中所述3D框架结构的3个表面由可弯折基板形成;3个霍尔元件芯片,分别设置在所述3个表面上;粘结层,所述粘结层将所述3个霍尔元件芯片分别键合到3个表面上。所述3个霍尔元件芯片的电极部彼此并联连接并以引脚的形式在3个表面上的一个表面上引出。本发明属于半导体技术领域。所述3D霍尔磁传感器能够进行3D空间检测、占用空间小、集成度高。 | ||
搜索关键词: | 霍尔 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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