[发明专利]3D霍尔磁传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110902648.8 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113764575A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 何渊 申请(专利权)人: 苏州矩阵光电有限公司
主分类号: H01L43/04 分类号: H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14;G01R33/07
代理公司: 北京毕科锐森知识产权代理事务所(普通合伙) 11877 代理人: 王静;陶涛
地址: 215600 江苏省苏州市张*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明的实施例公开了3D霍尔磁传感器及其制造方法。所述3D霍尔磁传感器包括3D框架结构,所述3D框架结构至少包括彼此正交连接的3个表面,其中所述3D框架结构的3个表面由可弯折基板形成;3个霍尔元件芯片,分别设置在所述3个表面上;粘结层,所述粘结层将所述3个霍尔元件芯片分别键合到3个表面上。所述3个霍尔元件芯片的电极部彼此并联连接并以引脚的形式在3个表面上的一个表面上引出。本发明属于半导体技术领域。所述3D霍尔磁传感器能够进行3D空间检测、占用空间小、集成度高。
搜索关键词: 霍尔 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
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