[发明专利]一种MOCVD设备的喷淋盘结构有效
申请号: | 202110828995.0 | 申请日: | 2021-07-22 |
公开(公告)号: | CN113549900B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 杜广煜;陈志立;万亿;梁帅;倪岩松 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 梁焱 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种MOCVD设备的喷淋盘结构,包括喷淋盘主体、喷淋盘封盖、III族气体进气管及V族气体进气管;喷淋盘主体上表面固设有同心且沿径向方向等间距分布的环状隔板;隔板间环向空间作为III族或V族气体进气缓存腔;III族与V族气体进气缓存腔沿径向方向交替布设;III族/V族气体进气缓存腔对应的喷淋盘主体上设有若干III族/V族气体出气孔道;环状隔板与喷淋盘封盖之间通过密封圈进行密封;喷淋盘封盖上表面设有冷却管路;III族和V族气体进气管在喷淋盘主体上具有两种进气方式,分为周向进气方式和中心进气方式。本发明进一步简化了喷淋盘结构设计,结构更加简单紧凑,保证了进气均匀性,降低了喷淋盘的空间占用率,更加有利于MOCVD设备的小型化。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 喷淋 盘结 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110828995.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种MOCVD设备的喷淋结构
- 下一篇:一种耳贴
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的