[发明专利]一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构在审
| 申请号： | 202110797767.1 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113552668A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 马可;刘亚东;蔡鹏飞;潘栋;蘇宗一 | 申请（专利权）人： | NANO科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/125;G02B6/124 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种耐高输入光功率的硅光芯片端面耦合结构，能够在硅基光芯片上实现高光功率输入，并多路输出，包括：端面耦合单元、第一连接单元、功率分束单元、第二连接单元、转换单元、第三连接单元。相比硅基端面耦合器，本发明能够承受更高的输入光功率；与现有的硅基半导体制作工艺兼容，易于低成本的制作和大规模生产；降低光纤与硅基光波导间的损耗；转换单元能够实现与硅基器件的耦合，且耦合损耗非常低，易于实现与硅光芯片大规模集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输入 功率 芯片 端面 耦合 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NANO科技（北京）有限公司，未经NANO科技（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110797767.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
