[发明专利]CIS传感器的形成方法

摘要

本发明提供了一种CIS传感器的形成方法，包括：提供半导体基底，包括相对设置的正面和背面；在正面的所述半导体基底内形成多个绝缘区；在正面的所述半导体基底上形成栅极结构；在背面的所述半导体基底内刻蚀形成多个深沟槽；通过深沟槽向所述半导体基底内注入三价离子，以形成三价离子区，其中，三价离子区位于所述绝缘区和所述沟槽之间；在深沟槽中填充高k物质，以形成深沟槽隔离结构；在背面的所述半导体基底上依次形成滤光器和镜片。在本发明中，通过三价离子区可以阻挡光线在衬底内产生的电子串扰相邻的光电二极管区域中，从而防止漏电的产生。