[发明专利]SiC基欧姆接触结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110731269.7 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113178384B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李翔;谢志平;丛茂杰;阚志国 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC基欧姆接触结构及其制造方法，在对所述SiC基材区进行离子掺杂以形成离子掺杂区之后且在进行退火处理以激活所述离子掺杂区中的掺杂离子之前，先在所述衬底上形成具有第一开口的保护层，所述第一开口暴露出所述离子掺杂区的至少部分顶面，由此，在该保护层的掩蔽作用下，在退火处理过程中激活所述离子掺杂区中的掺杂离子，并使得所述第一开口暴露出的离子掺杂区的顶面因发生SiC升华而变为粗糙顶面，从而在沉积金属层并再次退火后而形成SiC基欧姆接触时，可以利用粗糙顶面而提高金属与离子掺杂区之间的结合性能，进而使得SiC基欧姆接触具有更低的接触电阻，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | sic 欧姆 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
