[发明专利]一种透射电镜平面样品的制备方法在审
| 申请号： | 202110725969.5 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113295500A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 邵笑;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种透射电镜平面样品的制备方法，应用于半导体领域。在本发明实施例中，提供一样品芯片，在所述样品芯片上确定目标截面，所述目标截面为所述透射电镜平面样品平行于第一平面的截面；从所述样品芯片中，提取包括所述目标截面的待制作样品；对所述待制作样品的侧面，在所述目标截面沿所述芯片厚度方向的两侧，分别进行离子束标记；对所述待制作样品的正面和背面进行刻蚀，直至暴露出所述目标截面两侧的离子束标记时，停止刻蚀，将刻蚀后得到的样品作为所述透射电镜平面样品。本发明在对具有特殊结构的样品进行制备时，可准确获取刻蚀停止位置，从而提高样品制备质量，进而便于精确地对样品失效位置进行定位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透射 平面 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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