[发明专利]一种聚焦环及刻蚀设备有效
| 申请号： | 202110706492.6 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113436955B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张洪春 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供的聚焦环，用于半导体器件的刻蚀，聚焦环包括上部聚焦环以及下部聚焦环。本申请实施例提供的聚焦环通过在下部聚焦环上形成凹槽，凹槽能够反射半导体器件刻蚀过程中的反应生成物，被反射的反应生成物一部分被真空泵抽走，从而具有减少反应生成物沉积在半导体器件背面以及聚焦环间的优点。本申请同时还提供一种刻蚀设备，由于具有本申请实施例提供的聚焦环，所以也具有减少反应生成物沉积在半导体器件背面与聚焦环之间的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚焦 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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