[发明专利]一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极在审
| 申请号： | 202110701308.9 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113707512A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;班启沛;张世博;张翔;王振营 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;H01J40/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极。该超晶格AlGaN/GaN光电阴极的结构包括：由下至上依次设置的衬底(11)、缓冲层(12)、p型超晶格AlGaN/GaN电子发射层(13)、激活层(14)。本发明在传统GaN光电阴极结构基础上，采用p型超晶格AlGaN/GaN结构作为光电阴极的电子发射层，能够促进光电子在发射层中的扩散和在表面的逸出，从而有效解决光电阴极中光电转化率不高的问题，有助于进一步提高AlGaN/GaN光电阴极的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 结构 电子 发射 algan gan 光电 阴极 | ||
【主权项】：
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