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[发明专利]光电面电子源-CN202180051154.1在审
发明人：平野友彦;武富浩幸;须山本比吕;松平涉;影山明广;岩崎光太;山田拓 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明的光电面电子源(1)具备：玻璃基板(40)，其自包含微透镜(41)的基板受光面(50a)接收激光(101)，且使激光(101)朝向与基板受光面(50a)为相反侧的基板主面(43)会聚；光电面(50)，其设置于基板主面(43)，且接收经会聚的激光(101)并放出光电子(102)；及引出电极(60)，其固定于基板主面(43)，且自光电面(50)引出光电子(102)。引出电极(60)具有：电极部(62)，其沿基板主面(43)的法线方向(N)与光电面(50)分开而配置，且设置有使光电子(102)通过的电极孔(62H)；及框部(61)，其在基板主面(43)上固定于包围光电面(50)的区域。
光电电子

[发明专利]透过型光电阴极和电子管-CN201880050505.5有效
发明人：永田贵章;石上喜浩;浜名康全 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
透过光电阴极电子管

[发明专利]一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用-CN202110729927.9有效
发明人：陈军;张志鹏;邓少芝;许宁生 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电导型冷阴极平板X射线探测器及其制备方法和应用，所述X射线探测器包括阳极基板和冷阴极基板，所述阳极基板包括阳极衬底、制备在阳极衬底上的阳极电极、制备在阳极电极上的半导体层；所述冷阴极基板包括冷阴极衬底、制备在冷阴极衬底上的冷阴极电极、制备在冷阴极电极上的光电导体、制备在光电导体上的冷阴极发射体；所述半导体层和所述光电导体通过隔离体相互绝缘地固定在一起，所述阳极基板上的半导体层与所述冷阴极发射体相对。本发明通过在阳极基板上设置半导体层、冷阴极基板上设置光电导体，降低了X射线探测器的暗电流，提高了X射线探测器的灵敏度。
一种电导阴极平板射线探测器及其制备方法应用

[发明专利]柔性植入式神经光电极的光学器件及其设计、制备方法-CN202010795618.7有效
发明人：陶虎;顾驰;周志涛;魏晓玲 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明公开了柔性植入式神经光电极的光学器件，其设置于柔性聚合物衬底上，包括：输入光栅、波导和输出光栅，输入光栅为平行光栅，用于耦合入射光，波导的输入端与输入光栅耦合连接，波导的输出端与输出光栅耦合连接，输出光栅为聚焦光栅，用于将光耦合、聚焦照射在记录电极上方，提供单细胞分辨率的光刺激。本发明还公开了上述光学器件的设计和制备方法。本发明提供的柔性植入式神经光电极的光学器件，通过对波导和光栅的设计刻提供单细胞分辨率的光刺激和原位记录；器件尺寸小能减少植入损伤，且低损耗、高耦合、强聚焦；其高集成度利于实现多通道、高密度的神经刺激和记录；采用柔性聚合物衬底能减少神经瘢痕的形成，实现长期在体稳定工作。
柔性植入神经电极光学器件及其设计制备方法

[发明专利]光电阴极、电子管和光电阴极的制造方法-CN202080046222.0在审
发明人：河合辉典;鸟居良崇;柴山正巳;渡边宏之;山下真一 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：一种光电阴极，包括：基板；光电转换层，其设置在所述基板上，与光的入射相应地产生光电子；和基底层，其设置在所述基板与所述光电转换层之间，且包含铍，所述基底层具有包含铍的氮化物的第1基底层。
光电阴极电子管制造方法

[发明专利]具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极-CN201910637382.1有效
发明人：刘磊;田健;刁煜;陆菲菲;夏斯浩 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有原子级厚超薄发射层的GaN反射式光电阴极，结构自下而上分别为衬底层、p型AlGaN缓冲层、原子级厚GaN超薄发射层以及位于发射层上的Cs/O激活层。所述p型AlGaN缓冲层采用均匀掺杂结构，所述原子级厚GaN超薄发射层由若干厚度相等的GaN单原子层堆叠而成。本发明采用GaN单原子层作为发射层，可以使光电阴极工作在高温、高电压、强辐射以及深紫外条件下并保持耐久性，同时还能增加发射层激子浓度，减少电子输运时间和距离，最终提高光电阴极的量子效率。
具有原子超薄发射 gan 反射光电阴极

[发明专利]低电压电子穿透性薄膜-CN201980048584.0在审
发明人：约翰·贝内特 -专利权人：约翰·贝内特
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：一个或多个薄膜保护阴极，所述薄膜由薄的材料层组成，所述薄的材料层允许电子通过，同时防止所述阴极免受源自所述薄膜之外的元素的污染或防止外部设备免受源自所述阴极上或所述阴极附近的元素的污染。所述薄膜可由绝缘体支撑，所述绝缘体进而由偏转层支撑。所述薄膜可相对于所述阴极维持处于正电压，使得在所述阴极与所述薄膜之间产生将由所述阴极发射的电子背离所述阴极加速的电压梯度。所述薄膜位于与所述阴极相距的适当距离处，以允许在所述距离处进行与所述电子的能量匹配的电子透射。
电压电子穿透性薄膜

[发明专利]背照式传感器及制造传感器的方法-CN201980041049.2在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;张璟璟;约翰·费尔登;戴维·L·布朗;村松雅治;米田康人;大塚慎也 -专利权人：科磊股份有限公司;滨松光子学株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。
背照式传感器制造方法

[发明专利]一种高硅氧过渡玻璃壳紫外光电管-CN201711087212.8在审
发明人：杨蔡 -专利权人：成都永和光学有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅氧过渡玻璃壳紫外光电管，包括：高硅氧过渡玻璃壳、阴极、阳极和绝缘柱体；所述绝缘柱体设置有阴极支柱引出线和阳极支柱引出线、吸排气管；所述阴极支柱引出线的顶部固定设置阴极，所述阳极支柱引出线顶部固定设置阳极；所述吸排气管设置在绝缘柱体中心位置；本发明通过将外壳设置为高硅氧过渡玻璃外壳加大外壳的紫外辐射吸收量，增加了紫外光电管的灵敏度和探测距离；同时阴极设置为弧形板状结构，进一步加大了对紫外辐射的接收面积。
阴极过渡玻璃高硅氧引出线紫外光电管绝缘柱体阳极固定设置吸排气管阳极支柱弧形板状结构紫外辐射吸收探测距离紫外辐射灵敏度

[发明专利]一种微通道型入射窗及其制作方法-CN201510941403.0有效
发明人：王兴;田进寿;白永林 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，尤其涉及一种微通道型入射窗及其制作方法。该微通道型入射窗包括入射窗基体，入射窗基体为蜂窝式结构，蜂窝式结构包括多个通孔，通孔采用先普通光刻再离子束刻蚀的工艺形成或者是采用先普通光刻再酸法腐蚀的工艺形成；入射窗基体表面以及多个通孔内均沉积有光电阴极层。具体实现方法是首先清洗入射窗基体，再次在入射窗基体上刻蚀蜂窝式结构、二次清洗刻蚀过蜂窝结构的入射窗基体，最后在入射窗基体表面以及蜂窝式结构上制备光电阴极层。该入射窗的优点是将传统的光电阴极制备与微通道板电子倍增技术结合，实现了直接通过微通道型光电阴极技术进行光电转换及电子倍增的功能，简化了光电探测器件的结构，降低了器件的成本，同时也大大提高了光电阴极量子效率。
一种通道入射及其制作方法

[发明专利]一种小型高灵敏度紫外光电管-CN201610632419.8在审
发明人：杨阳 -专利权人：成都青岗科技有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型高灵敏度紫外光电管；其包括壳体、阴极、阴极引脚、阳极及阳极引脚。本发明的小型高灵敏度紫外线光电管结构简单紧凑，使用和运输都较为方便，且结构牢固，不易损坏。
一种小型灵敏度紫外光电管

[实用新型]一种微通道型入射窗-CN201521050403.3有效
发明人：王兴;田进寿;白永林 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本实用新型属于光电探测技术领域，尤其涉及一种微通道型入射窗。该微通道型入射窗包括入射窗基体，入射窗基体为蜂窝式结构，蜂窝式结构包括多个通孔，通孔采用普通光刻和离子束刻蚀或酸法腐蚀工艺形成；入射窗基体表面以及多个通孔内均沉积有光电阴极层。具体实现方法是首先清洗入射窗基体，再次在入射窗基体上刻蚀蜂窝式结构、二次清洗刻蚀过蜂窝结构的入射窗基体，最后在入射窗基体表面以及蜂窝式结构上制备光电阴极层。该入射窗的优点是将传统的光电阴极制备与微通道板电子倍增技术结合，实现了直接通过微通道型光电阴极技术进行光电转换及电子倍增的功能，简化了光电探测器件的结构，降低了器件的成本，同时也大大提高了光电阴极量子效率。
一种通道入射

[实用新型]电子管阴极组件结构-CN201320867076.5有效
发明人：张锦媚;于丽梅;李柄林;董育红;王凤兰 -专利权人：锦州华光电子管有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：一种电子管阴极组件结构，具有阴极固定板，阴极固定板上表面固设有n个柱形阴极支架，n为≥3的奇数，其中位于中间的阴极支架下端由阴极固定板的下面引出，其特殊之处是：所述阴极支架上端部的圆周面上设有竖平台，所述竖平台均位于同一个平面内，相邻的三个竖平台上焊接有一个M形阴极，阴极的端点及下折弯点分别位于不同的竖平台上，中间相邻的二个阴极的相邻端点位于中间的阴极支架上；该电子管阴极组件结构的阴极不易变形，可降低阴极加工难度，接触效果好且牢固，提高电子管质量。
电子管阴极组件结构

[实用新型]光电传感器-CN201320749822.0有效
发明人：马建华;白辉;梁卫生 -专利权人：四川天微电子有限责任公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感器领域，尤其是一种光电传感器。该光电传感器包括壳体、阳极和阴极，所述的阴极包括半球壳形状的光电效应端、阴极支撑段以及阴极引脚段，所述阳极包括电子接收端、阳极支撑段以及阳极引脚段，所述电子接收端位于光电效应端上方，所述光电效应端和电子接收端之间的距离小于阳极支撑段和阴极支撑段之间的距离。该光电传感器可以很好地探测来源方向更广的光线。
光电传感器

[发明专利]光电传感器-CN201310595052.3无效
发明人：马建华;白辉;梁卫生 -专利权人：四川天微电子有限责任公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明涉及传感器领域，尤其是一种光电传感器。该光电传感器包括壳体、阳极和阴极，所述的阴极包括半球壳形状的光电效应端、阴极支撑段以及阴极引脚段，所述阳极包括电子接收端、阳极支撑段以及阳极引脚段，所述电子接收端位于光电效应端上方，所述光电效应端和电子接收端之间的距离小于阳极支撑段和阴极支撑段之间的距离。该光电传感器可以很好地探测来源方向更广的光线。
光电传感器

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