[发明专利]一种cmos影像传感器芯片的封装结构在审
申请号: | 202110607869.2 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113284916A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 刘家铭;吴灿煌 | 申请(专利权)人: | 合肥芯测半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/024;H04N5/374 |
代理公司: | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人: | 吴朝 |
地址: | 安徽省合肥市经济技术开*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及芯片封装技术领域,且公开了一种cmos影像传感器芯片的封装结构,包括基板,所述基板的顶部固定连接有芯片,所述基板通过固定座连接有镜座,所述镜座的内部设置有滤镜,所述镜座通过固定螺钉连接有套筒,所述套筒的内部固定连接有镜片,所述镜座的内壁开设有散热孔。该cmos影像传感器芯片的封装结构,通过基板、镜座、固定座、芯片、滤镜、套筒、镜片、散热孔、滤管、防水透气膜、连管、顶环、导热片、底框、紧固螺钉、散热板和散热鳍片之间的相互配合,达到了增大CMOS传感器封装的散热效率,减小设备运行温度对CMOS传感器影响的效果,解决了在连续使用相机拍摄时,CMOS传感器有时会发生因运行温度过高而难以正常工作的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 影像 传感器 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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