[发明专利]与非型闪存器件的接触孔制造方法有效
| 申请号： | 202110593161.6 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327889B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张洪波;巨晓华;杨海玩;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种与非型闪存器件的接触孔制造方法，包括：在一衬底上形成栅极结构及空气间隙；在所述衬底上沉积第一层间介质层；对所述第一层间介质层进行化学机械研磨，将所述第一层间介质层的上表面磨平；在所述衬底上沉积后续层间介质层；在所述衬底上形成接触孔。本发明的与非型闪存器件的接触孔制造方法使得第一层间介质层能够保持水平，进而使得后续层间介质层能够保持水平，从而保证了在接触孔形成工艺中，接触孔的刻蚀方向与不同层的层间介质层形成相同的接触角度，进而保证了接触孔工艺窗口的大小，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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