[发明专利]纳流控场效应管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110570151.0 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113311048A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴增强;华宇;潘忠芹;胡玉林;王娇娇;王金玉;汪晓明 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京惠森至诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11992 | 代理人： | 王园园 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳流控场效应管及其制备方法和应用，涉及纳流控与电化学技术领域，包括：纳米孔道内表面带有正电荷的第一纳米多孔膜、纳米孔道内表面带有负电荷的第二纳米多孔膜和电极；第二纳米多孔膜的两个表面分别结合第一纳米多孔膜，或，第一纳米多孔膜的两个表面分别结合第二纳米多孔膜，构建具有NPN或PNP结构的纳流控场效应管。本发明利用纳米通道的离子选择性传输特性，并结合门电位控制来改变部分纳米通道表面电荷密度来实现低门电位条件下的信号放大，解决了现有场效应管无法实现高离子强度下检测问题，并成功实现纳米通道离子电流信号的Sigmoid响应，可做为可控的单元组件用于后续的逻辑控制和人工神经网络的开关组件。 | ||
| 搜索关键词： | 纳流控 场效应 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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