[发明专利]一种气密性磁存储器封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110541920.4 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113242685A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 丁荣峥;朱玲华;王超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及电子封装技术领域，具体涉及一种气密性磁存储器封装结构及其制备方法，包括MRAM芯片、粘合剂、键合丝、磁屏蔽层、陶瓷外壳和盖板，引出端、底板、封接环和盖板均为铁镍合金软磁材料，磁屏蔽层为高初磁导率低矫顽力的合金材料。MRAM芯片通过粘合剂安装于陶瓷外壳芯腔内的底板上，采用键合丝将MRAM芯片的压焊点与陶瓷外壳的键合指互连，再在MRAM芯片、键合丝的上方罩上磁屏蔽层，并将磁屏蔽层点焊于陶瓷外壳芯腔内的底板上，最后陶瓷外壳的封接环和盖板进行气密性密封。本发明不改变现有陶瓷封装外形结构尺寸、气密性，解决陶瓷封装无法提供对于辐射（如EMI、RFI）的有效屏蔽问题，提高磁存储器可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气密性 磁存储器 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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