[发明专利]一种可调延时线芯片及其制作方法有效
申请号: | 202110503089.3 | 申请日: | 2021-05-08 |
公开(公告)号: | CN113219680B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 吴丹;尹小杰;张家顺;王亮亮;王玥;安俊明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02B6/138;G02B6/13 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种可调延时线芯片及其制作方法,可调延时线芯片包括基底层、波导芯层、上包层以及温控层;基底层具有一光刻面;波导芯层设于光刻面上,波导芯层内用以光波传播;上包层设于波导芯层的外侧面上,呈包覆波导芯层设置;温控层设于上包层背向波导芯层的侧壁面上,温控层用以控制温度变化;其中,波导芯层的折射率呈大于基底层和上包层的折射率设置。波导芯层设于基底层与上包层之间,光波在波导芯层内折射传播,温控层控制温度变化,通过热光效应,温度越高,折射率会增大,改变波导芯层的折射率,进而控制波导芯层的延时可调节,延时精度可从亚皮秒量级到数皮秒量级。 | ||
搜索关键词: | 一种 可调 延时 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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