[发明专利]一种碳化硅晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 202110484763.8 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113151900B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;刘星;刘家朋;李加林 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅晶体的制备方法，属于半导体材料制备领域。该方法包括：提供反应腔、长晶腔和除料机构，所述反应腔包括原料腔和废料腔，将碳化硅原料装入所述原料腔；长晶阶段：控制长晶条件，所述原料腔内的原料升华产生的原料气经气相传输通道传输至长晶腔进行长晶，当碳化硅原料升华率为第一升华率时，启动除料机构，所述除料机构将所述反应腔内原料升华后产生的废料转移至所述废料腔，所述原料腔内的剩余原料在该长晶条件下继续升华进行长晶，除料机构持续除料至长晶结束，即制得所述碳化硅晶体。本申请可以提高原料的升华速率和利用率，并且减少晶体的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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