[发明专利]一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法在审
| 申请号： | 202110455797.4 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113136623A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 毛开礼;魏汝省;赵丽霞;李斌;戴鑫;李天;范云;靳霄曦 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的方法，涉及碳化硅单晶制备技术领域；具体是将混合了粘合剂的碳化硅颗粒混合物烧结形成碳化硅多晶多孔块体，去除残余碳后将碳化硅多晶多孔块体放置于坩埚中碳化硅粉体上部，使碳化硅粉体和坩埚顶部的碳化硅籽晶相隔离，之后采用物理气相传输法制备碳化硅单晶；本发明降低了碳化硅单晶中的碳包体缺陷密度；通过控制多孔多晶料块的孔隙密度来实现对升华气氛输运的调节，从而调节晶体生长速率，有利于实现高质量碳化硅单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 碳化硅 内部 碳包体 缺陷 密度 方法 | ||
【主权项】：
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