[发明专利]一种应变硅MOS电子器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110449010.3 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113299556B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郝敏如;张艳;邵敏 | 申请（专利权）人： | 西安石油大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应变硅MOS电子器件及其制备方法，制备方法包括：制备注入离子后的硅衬底；在注入离子后的硅衬底上制备Ge组分渐变层；在Ge组分渐变层上制备Ge组分固定层；在Ge组分固定层上制备硅帽层；在硅帽层上制备氧化层；在氧化层上制备栅极；通过离子注入在Ge组分固定层和硅帽层内的两端分别制备源极和漏极，部分源极和部分漏极位于氧化层的下表面；在氧化层之上、氧化层的侧面和栅极的侧面制备覆盖氧化层和栅极的氮化硅薄膜；在硅衬底底部的沟槽内制备沟槽多晶硅。本发明所制备的应变硅MOS电子器件减少了漏极所收集的电荷，产生漏极瞬态电流减小，因此引发器件的逻辑发生几率小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 mos 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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