[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110432046.0 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113151782B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 唐军利 | 申请（专利权）人： | 金堆城钼业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种二硫化钼薄膜的制备方法，将工件去油去污，超声波清洗30～60min，得到清洗后的工件，然后将清洗后的工件悬挂于磁控溅射炉内，使清洗后的工件表面正对二硫化钼靶材，二硫化钼靶材的纯度不小于99.9％，二硫化钼靶材与工件待涂面的距离为8～10cm，利用磁控溅射将二硫化钼均匀溅射在工件表面，形成二硫化钼薄膜材料初制品，最后将步骤2的二硫化钼薄膜材料初制品进行退火，得到二硫化钼薄膜。本发明通过在磁控溅射过程中使用高电压、低电流可以使得二硫化钼的晶型定向排列，从而得到银灰色二硫化钼薄膜，一方面可以提高二硫化钼润滑效果，另一方面磁控溅射控制容易，工艺简单，适于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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