[发明专利]一种基于紫外灰度光刻法制备的非等高光波导定向模式耦合器在审
| 申请号： | 202110430087.6 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113204074A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王廷云;王雪婷;邓传鲁;黄怿;张小贝 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/125;G02B6/13;G02B6/26;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于紫外灰度光刻法的非等高光波导定向模式耦合器。该光波导定向模式耦合器，包括基底、波导下包层、波导芯层和波导上包层，所述波导芯层被波导上包层和波导下包层所包覆，主要由一根芯层高度和宽度都较大的主波导和另一根芯层高度和宽度较小的光波导组成。优化光波导的结构参数及光波导有效间距，满足模式相位匹配条件，实现二维维度上模式序数m相同且n不同的两种模式的高效率耦合。在实际光波导制备中，采用紫外灰度光刻法，在不增加工艺流程的同时，完成二维维度上不等高光波导的制备，由此实现非等高光波导定向模式耦合器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 紫外 灰度 光刻 法制 波导 定向 模式 耦合器 | ||
【主权项】：
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