[发明专利]一种高热可靠性的多单元功率集成模块及其加工工艺有效
| 申请号： | 202110426392.8 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113130455B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 胡娟;侯丽;周云艳;鲍婕;芦莎;汪礼;郑小帆 | 申请（专利权）人： | 黄山学院 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/498 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245041 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及高热可靠性的多单元功率集成模块(PIM)的结构及其加工工艺，其结构包括硅基IGBT芯片、碳化硅肖特基势垒二极管芯片、硅基二极管芯片、铜/石墨烯纳米片(Cu/GN)异质薄膜、石墨烯基封装树脂、覆铜陶瓷衬板、焊料层、纳米银导电胶、键合引线、铜垫片、塑封外壳、铝碳化硅基板、导热硅脂以及散热器。本发明采用Cu/GN异质薄膜代替局部键合线的方式，将大功率PIM中斩波电路IGBT芯片的局部热量通过上下两条热传导路径散发，降低芯片上的局部热点温度；同时将石墨烯均匀地添加到环氧树脂中作为灌封材料，从而减小大功率PIM从芯片到环境的整体热阻，提升散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高热 可靠性 单元 功率 集成 模块 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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