[发明专利]一种提高固态盘内3D闪存芯片写性能的优化方法有效
| 申请号： | 202110368279.9 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113126921B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 何丹;徐文;何英;梅圆;严思香 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/1009 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 马莉 |
| 地址： | 330000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高固态盘内3D闪存芯片写性能的优化方法，本发明以一个以3D‑flash和MLC为存储介质的混合固态盘为参考，同时假设3D‑flash单个数据页面大小为16K以及单个MLC数据页大小为4K，本方案可充分利用写请求大小未达到一张页面大小的特征，从而减少了闪存的写操作次数，有效延长了闪存的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 固态 闪存 芯片 性能 优化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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