[发明专利]集成侧向调制器的FP激光器在审
| 申请号： | 202110344374.5 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097859A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孟祥辉;杨跃德;黄永箴;肖金龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/042;H01S5/10;H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种集成侧向调制器的FP激光器，包括：N型InP衬底、有源层、P型InP层、激射FP腔、调制FP腔、电隔离槽和P面电极层；自下而上生长N型InP衬底、有源层和P型InP层；激射FP腔和调制FP腔生长在P型InP层上，激射FP腔和所述调制FP腔间形成侧向耦合，所述侧向与所述激射FP腔延伸方向和调制FP腔延伸方向相垂直；P面电极层生长于所述激射FP腔和所述调制FP腔上。本公开实施例中基于同一有源层设置激射FP腔和调制FP腔，并在两个FP腔之间形成侧向耦合，将激光器和调制器集成在同一器件中，节省占地空间和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 侧向 调制器 fp 激光器 | ||
【主权项】：
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