[发明专利]TGV深孔填充方法有效
| 申请号： | 202110307374.8 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113066758B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 郭欢;张继华;穆俊宏;贾惟聪;李勇;蔡星周;李文磊 | 申请（专利权）人： | 三叠纪（广东）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 李鹏 |
| 地址： | 523947 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TGV深孔填充方法，包括以下步骤：A、对玻璃基板进行清洗；B、对玻璃基板进行激光打孔，得到多个玻璃通孔；C、采用腐蚀液对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀；D、对玻璃基板以及玻璃通孔进行种子层溅射；E、将玻璃基板浸泡在稀硫酸溶液中以进行活化；F、电镀。通过对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀，使得玻璃基板以及玻璃通孔表面变得粗糙，种子层与玻璃基板以及玻璃通孔之间的摩擦系数增大，可增强种子层的附着强度，在后续活化以及电镀过程中，可在一定的程度上防止种子层脱落，从而保证电镀的效果。 | ||
| 搜索关键词： | tgv 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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