[发明专利]用于GaN功率集成电路的热增强电子封装在审
| 申请号： | 202110286323.1 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114171512A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | D·M·金策;J·张;T·普尔巴里奇 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 魏小薇;吴丽丽 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于GaN功率集成电路的热增强电子封装。一种电子功率转换组件包含导电封装基底，所述导电封装基底包括源极端子、漏极端子、至少一个I/O端子及裸片附接衬垫，其中所述源极端子与所述裸片附接衬垫电隔离。GaN基半导体裸片紧固到所述裸片附接衬垫，且包含具有源极及漏极的功率晶体管，其中所述源极电耦合到所述源极端子，且所述漏极电耦合到所述漏极端子。多个焊线将所述源极电耦合到所述源极端子，且将所述漏极电耦合到所述漏极端子。囊封物形成于所述GaN基半导体裸片、所述多个焊线及所述封装基底的至少顶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 功率 集成电路 增强 电子 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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