[发明专利]一种栅极电阻可调型超结功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110271644.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113035701A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 胡玮 | 申请（专利权）人： | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 张仁杰 |
| 地址： | 400700 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极电阻可调的超结型功率器件及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、超结型功率器件元胞结构的制备；B、接触通孔的制备；C、金属导线层的制备；D、钝化层的制备。本发明通过设计可调节型栅极电阻结构实现该器件在应用中可基于应用需求在一定栅极电阻范围内对栅极电阻进行灵活的调整，进一步提高器件的应用范围。通过栅极电阻控制极分别对每个独立的栅极电阻进行开路控制以实现对栅极电阻的调整，避免了因不同的栅极电阻应用需求导致的栅极、接触通孔、金属导线层版图变更和重新制作掩模版，减少成本支出，提高器件的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 电阻 可调 型超结 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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