[发明专利]存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器装置及其制造方法。所述存储器装置包括基板及电子熔丝结构。基板包括阵列区及电子熔丝区，且基板的电子熔丝区中具有电子熔丝沟槽。电子熔丝结构包括第一栅极氧化物层、多个掺杂区、虚设埋入式字线及电子熔丝栅极。第一栅极氧化物层形成于电子熔丝沟槽的表面上。这些掺杂区分别形成于电子熔丝沟槽之外的相对两侧的基板中，并与第一栅极氧化物层接触。虚设埋入式字线形成于第一栅极氧化物层上。电子熔丝栅极形成于虚设埋入式字线上且与第一栅极氧化物层接触。虚设埋入式字线与电子熔丝栅极电性隔绝。