[发明专利]一种硅基晶圆的表面处理装置及处理方法

摘要

本发明公开了一种硅基晶圆的表面处理装置及处理方法，包括密闭腔体和连通密闭腔体内部的第一管路以及第二管路，所述密闭腔体还连接有第三管路，所述密闭腔体内设有用于放置硅基晶圆的反应台，所述密闭腔体上设有对应所述反应台的高透光玻璃窗，所述密闭腔体的外部具有能量光源；所述第一管路连通氮气，所述第二管路连通惰性气体，所述第三管路外接真空泵，所述第一管路上设有第一控制阀，所述第二管路上设有第二控制阀，所述第三管路上设有第三控制阀；所述密闭腔体还外接有用于监测所述密闭腔体内部气压的压力计。本发明通过设置密闭腔体并在密闭腔体内充入反应气体，为硅基晶圆表面处理提供反应环境，保证硅基晶圆的表面处理的稳定性，提高硅基晶圆表面处理工艺效果。