[发明专利]半导体光接收元件在审
| 申请号： | 202110223838.7 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113345977A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 米田昌博;海老原幸司;沖本拓也 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光接收元件。一种半导体光接收元件，其包括第一半导体层、波导型光电二极管结构、光波导结构以及第四半导体层。所述波导型光电二极管结构被设置在第一半导体层上。所述波导型光电二极管结构包括光吸收层、第二半导体层、倍增层和第三半导体层。所述光波导结构被设置在所述第一半导体层上。光波导结构包括光波导芯层和包覆层。所述波导型光电二极管结构的端面面对光波导结构的端面。所述第四半导体层位于波导型光电二极管结构的端面和光波导结构的端面之间。所述第四半导体层与波导型光电二极管结构的端面的所述倍增层相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接收 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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