[发明专利]一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜在审
申请号: | 202110197000.5 | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN113013022A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 施毅;周旻旻;陈天鸿;孙华斌;王军转;王欣然;张荣;郑有炓 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京冠誉至恒知识产权代理有限公司 32426 | 代理人: | 薛海霞 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜。本发明首先采用旋涂法在衬底表面涂覆一层光刻胶,并接着利用紫外光刻对该光刻胶层进行图形化,然后用氧等离子体处理样品表面,使表层光刻胶中的酚醛树脂发生交联而硬化,形成一层仅有4至5纳米厚的硬化光刻胶薄膜,之后将样品浸泡在丙酮剥离溶剂中,未被硬化的光刻胶被溶剂溶解,而硬化光刻胶薄膜由于不溶于丙酮等有机溶剂则留在衬底上。为使硬化光刻胶薄膜继承光刻胶的图案,采用原位转移方法:将从剥离溶剂中取出的样品静置在工作台上,待溶剂完全自然挥发之后再用丙酮/异丙醇等有机溶剂对样品进行清洗即可。本发明的超薄硬化光刻胶薄膜具有可图形化、可重复堆叠、高均匀平整度等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 超薄 硬化 光刻 胶介电 薄膜 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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