[发明专利]一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺有效
| 申请号： | 202110193837.2 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112758888B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张乐民;刘福民;张树伟;崔尉;梁德春;杨静;刘宇 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺，用于在硅结构内加工形成硅槽和硅通孔，包括在硅结构晶圆一侧制作光刻胶和第一铝或钛金属膜，加工后分别作为硅通孔和硅槽的刻蚀工艺图形掩模，同时在硅结构晶圆另一侧淀积第二铝或钛金属膜作为刻蚀阻挡层。本发明中，采用的铝或钛金属膜与硅具有良好的黏附性，且在硅刻蚀过程中具有很高的刻蚀选择比；在硅硅结构晶圆单侧制作刻蚀图形掩模，并在另一侧制备刻蚀阻挡层，从单侧进行硅刻蚀能够避免通孔刻蚀穿通后晶圆背面气体漏率增大，造成由于刻蚀均匀性需继续刻蚀时，刻蚀速率异常和图形陡直度变差问题；采用金属膜作为刻蚀阻挡层，能够避免通孔底部电荷积累造成的刻蚀结构底部损伤问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 硅通孔 mems 微结构 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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