[发明专利]一种同轴生长PNP双色外延结构在审
| 申请号： | 202110123573.3 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112951959A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李起鸣;游正璋 | 申请（专利权）人： | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200013 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种同轴生长PNP双色外延结构，包括：衬底；P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；第一色发光层，生长于P型第一色掺杂半导体层上；N型第一色掺杂半导体层，生长于第一色发光层上；第二色发光层，生长于N型第一色掺杂半导体层上；P型第二色掺杂半导体层，生长于第二色发光层上。本发明将两种颜色发光外延结构生长在一起，无需键合工艺，简化了后续多色MICRO‑LED的制备工艺，降低了成本。并且避免了后续MICRO‑LED制备工艺中的对准问题，提高了器件质量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同轴 生长 pnp 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海显耀显示科技有限公司，未经上海显耀显示科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110123573.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能电池板追踪发电装置
- 下一篇：一种封接SDC电解质与金属的方法
