[发明专利]双色红外探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110103882.4 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112786731A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;张立群 | 申请（专利权）人： | 苏州晶歌半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双色红外探测器，其包括层叠设置的中波长红外探测器和长波长红外探测器，所述中波长红外探测器的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述长波长红外探测器的长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格，所述中波长红外探测器的中波通道势垒层和所述长波长红外探测器的长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本发明还公开了一种双色红外探测器的制作方法。本发明的双色红外探测器的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格，长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格，如此保证了各波段器件的最佳性能。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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