[发明专利]静电感应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110097644.7 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112909088B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 贺威;郑子阳;利健;黄昊;杨嘉颖;吴健华;刘新科 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 舒丁 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种静电感应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。所述静电感应晶体管包括：氮化镓衬底；氮化镓沟道层，设于所述氮化镓衬底的一侧，所述氮化镓沟道层包括自所述氮化镓衬底向远离所述氮化镓衬底方向延伸设置的主体部，和自所述主体部的侧壁侧向延伸的凸出部；栅极，环绕所述氮化镓沟道层设置；源极，设于所述氮化镓沟道层远离所述氮化镓衬底的一侧；以及，漏极，设于所述氮化镓衬底。本发明提出的静电感应晶体管，使用氮化镓制备衬底和沟道层，具有更大的禁带宽度和耐高温性，与弓形沟道配合，使得静电感应晶体管具有较高的开关电流比，较低的导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 静电感应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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