[发明专利]一种基于人工智能的MEMS惯性传感器异构阵列及其设计方法在审
| 申请号： | 202110054148.3 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112906185A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 凤瑞;郑宇;周铭;商兴莲;宋金龙 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06N3/02;G06N3/08 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于人工智能的MEMS惯性传感器异构阵列设计方法，包括：将多个不同的MEMS惯性传感器芯片组合排列，形成MEMS惯性传感器异构阵列；所述MEMS惯性传感器芯片具有相同的功能，不同的性能指标；构建输入与输出神经网络模型；对传感器异构阵列进行已知输入条件的标定试验，得到传感器异构阵列的试验数据，对神经网络模型进行训练；通过训练完成的输入与输出神经网络模型对各MEMS惯性传感器芯片的输出信号进行处理，得到MEMS惯性传感器异构阵列的测量输出值。形成异构的MEMS惯性传感器阵列，通过神经网络构建的输入与输出模型进行计算，得出传感器阵列的输出值，可以大幅提升输出信号的信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 人工智能 mems 惯性 传感器 阵列 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
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