[发明专利]一种双阴离子掺杂聚吡咯电极片及其制备方法、超级电容器有效
| 申请号： | 202110053960.4 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112908728B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;方岩;王书杰 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王术娜 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双阴离子掺杂聚吡咯电极片及其制备方法、超级电容器，属于电化学技术领域。本发明采用特定种类的一价阴离子进行掺杂，在聚吡咯中引入大体积阴离子，构建通畅的离子传输通道，可拓宽聚吡咯的电化学活性电压窗口；制备成电极片之后将所述电极片浸入到含有高价阴离子掺杂剂的溶液中，进行电化学循环，在电化学循环过程中，大体积刚性高价阴离子部分取代一价阴离子，使得一价阴离子掺杂引入的通道被固定，可减少电化学过程中活性材料的体积变化，提高聚吡咯基对称超级电容器的能量密度、功率密度和循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阴离子 掺杂 吡咯 电极 及其 制备 方法 超级 电容器 | ||
【主权项】：
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