[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用复合片及装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110047614.5 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113206039A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 野岛一马 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/50;H01L21/56;C09J7/30;C09J7/24;C09J133/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使在形成有保护膜的芯片等工件的加工品进一步被树脂密封的情况下，也能够提高密封树脂与保护膜之间的粘合可靠性的保护膜形成膜及保护膜形成用复合片、以及使用该保护膜形成用复合片制造装置的方法。所述保护膜形成膜是用于形成保护膜的保护膜形成膜，且以260℃加热5分钟后的保护膜的表面粗糙度Ra1为200nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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