[发明专利]蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110004368.5 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112864014B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 耿莉;刘江;杨明超;刘卫华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3065;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管，采用光刻工艺在GaN样品上制备金属Ni腌膜；然后采用感应耦合等离子体干法刻蚀工艺对GaN样品进行刻蚀操作，直到n |
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| 搜索关键词： | 蓝宝石 gan 垂直 肖特基 二极管 反向 漏电 减小 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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