[发明专利]压电体膜的制造方法、压电体膜及压电元件在审
| 申请号： | 202080027670.6 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113711372A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;曾山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/318;H01L41/319;H01L41/39;H01L41/43 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压电体膜的制造方法，该压电体膜的制造方法包括：涂布工序，在基板上涂布涂布液而得到涂布膜，所述涂布液包含铅、锆、钛，且锆与钛的含量比以摩尔比计在54:46～40:60的范围内，通过在结晶化开始温度以上的温度进行加热而生成钙钛矿结晶相；干燥工序，干燥涂布膜而得到干燥膜；第一预烧成工序，在第一预烧成温度对干燥膜进行加热而得到第一预烧成膜，所述第一预烧成温度为结晶化开始温度以上且结晶化开始温度+40℃以下；第二预烧成工序，在第二预烧成温度对第一预烧成膜进行加热而得到第二预烧成膜，所述第二预烧成温度为结晶化开始温度+25℃以上且所述结晶化开始温度+100℃以下，且为第一预烧成温度+25℃以上的温度；及正式烧成工序，在正式烧成温度对第二预烧成膜进行加热而得到压电体膜，所述正式烧成温度为结晶化开始温度+100℃以上且结晶化开始温度+200℃以下，且为第二预烧成温度+25℃以上的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 制造 方法 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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